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標準パッケージ統合回路コンポーネントEPC2203
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 600µA |
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Vgs(最大) | +5.75V, -4V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80 mOhm @ 1A, 5V |
電力消費(最大) | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | Die |
他の名前 | 917-1200-2 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 88pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.83nC @ 5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
詳細な説明 | N-Channel 80V 1.7A Surface Mount Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.7A |