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標準パッケージ統合回路コンポーネントHT6256DC
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 50ns |
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電源電圧 - | 4.5 V ~ 5.5 V |
技術 | SRAM |
サプライヤデバイスパッケージ | 28-CDIP |
シリーズ | HTMOS™ |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
他の名前 | HT6256 HT6256-ND |
運転温度 | -55°C ~ 225°C (TA) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 256Kb (32K x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
メーカーの標準リードタイム | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明 | SRAM Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 20MHz 50ns 28-CDIP |
クロック周波数 | 20MHz |
アクセス時間 | 50ns |