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標準パッケージ統合回路コンポーネントJ112G
電圧 - イド@カットオフ(VGSオフ) | 1V @ 1µA |
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電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 35V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
シリーズ | - |
抵抗 - RDS(ON) | 50 Ohms |
電力 - 最大 | 350mW |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
他の名前 | J112G-ND J112GOS |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
FETタイプ | N-Channel |
詳細な説明 | JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3 |
電流 - 電圧Vds(VGS = 0)@ドレイン(IDSS) | 5mA @ 15V |
ベース部品番号 | J112 |