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標準パッケージ統合回路コンポーネントTC58BYG0S3HBAI4
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
サプライヤデバイスパッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
シリーズ | Benand™ |
パッケージ/ケース | 63-VFBGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 1Gb (128M x 8) |
メモリインタフェース | - |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) 63-TFBGA (9x11) |