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標準パッケージ統合回路コンポーネントDS2030L-100#
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 100ns |
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電源電圧 - | 3 V ~ 3.6 V |
技術 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
サプライヤデバイスパッケージ | 256-BGA (27x27) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 256-BGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 5 (48 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 256Kb (32K x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | NVSRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27) |
ベース部品番号 | DS2030 |
アクセス時間 | 100ns |