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標準パッケージ統合回路コンポーネントVQ1001P-E3
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA |
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サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
電力 - 最大 | 2W |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 110pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FETタイプ | 4 N-Channel |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 830mA |