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標準パッケージ統合回路コンポーネント2N7635-GA
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
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Vgs(最大) | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-257 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 415 mOhm @ 4A |
電力消費(最大) | 47W (Tc) |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | TO-257-3 |
他の名前 | 1242-1146 |
運転温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 324pF @ 35V |
FETタイプ | - |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | 650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) (165°C) |