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標準パッケージ統合回路コンポーネントSTD11NM60N-1
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | MDmesh™ II |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 450 mOhm @ 5A, 10V |
電力消費(最大) | 90W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前 | 497-5963-5 |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 850pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) |