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標準パッケージ統合回路コンポーネントISL6612BIRZ
電源電圧 - | 7 V ~ 13.2 V |
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サプライヤデバイスパッケージ | 10-DFN (3x3) |
シリーズ | - |
立上り/立下り時間(Typ) | 26ns, 18ns |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | 10-VFDFN Exposed Pad |
運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
入力周波数 | 2 |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 2 (1 Year) |
ロジック電圧 - VIL、VIH | - |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 36V |
ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
駆動構成 | Half-Bridge |
詳細な説明 | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-DFN (3x3) |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 1.25A, 2A |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Synchronous |
ベース部品番号 | ISL6612B |