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標準パッケージ統合回路コンポーネントIDT70P3307S250RM
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.9 V |
技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
サプライヤデバイスパッケージ | 576-FCBGA (25x25) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 576-BBGA, FCBGA |
他の名前 | 70P3307S250RM |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 4 (72 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 18Mb (1M x 18) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明 | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 6.3ns 576-FCBGA (25x25) |
クロック周波数 | 250MHz |
ベース部品番号 | IDT70P3307 |
アクセス時間 | 6.3ns |