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標準パッケージ統合回路コンポーネントCPMF-1200-S080B
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
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Vgs(最大) | +25V, -5V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | Z-FET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 110 mOhm @ 20A, 20V |
電力消費(最大) | 313mW (Tj) |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | Die |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1915pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 90.8nC @ 20V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V |
詳細な説明 | N-Channel 1200V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tj) |