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標準パッケージ統合回路コンポーネントGA10SICP12-263
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
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Vgs(最大) | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (7-Lead) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100 mOhm @ 10A |
電力消費(最大) | 170W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
他の名前 | 1242-1318 GA10SICP12-263-ND |
運転温度 | 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1403pF @ 800V |
FETタイプ | - |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V |
詳細な説明 | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Tc) |