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標準パッケージ統合回路コンポーネントSG2013J-883B
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.9V @ 600µA, 500mA |
トランジスタ型式 | 7 NPN Darlington |
サプライヤデバイスパッケージ | 16-CDIP |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | - |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | - |
他の名前 | 1259-1108 1259-1108-MIL |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション | - |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 900 @ 500mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 600mA |