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標準パッケージ統合回路コンポーネントSPD04P10PGBTMA1
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 380µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
シリーズ | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1 Ohm @ 2.8A, 10V |
電力消費(最大) | 38W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前 | SP000212230 SPD04P10P G SPD04P10P G-ND SPD04P10PGBTMA1TR |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 319pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | P-Channel 100V 4A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) |