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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI3460DV-T1-E3
同上@ VGS(TH)(最大) | 450mV @ 1mA (Min) |
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Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.1W (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前 | SI3460DV-T1-E3-ND SI3460DV-T1-E3TR SI3460DVT1E3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 4.5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.1A (Ta) |