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標準パッケージ統合回路コンポーネントMJD31C1G
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 100V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.2V @ 375mA, 3A |
トランジスタ型式 | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 1.56W |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前 | MJD31C1G-ND MJD31C1GOS |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 2 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 3MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 10 @ 3A, 4V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 50µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 3A |
ベース部品番号 | MJD31 |