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標準パッケージ統合回路コンポーネントMT44K16M36RB-107E IT:B
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.28 V ~ 1.42 V |
技術 | DRAM |
シリーズ | - |
他の名前 | MT44K16M36RB-107E IT:B-ND MT44K16M36RB-107EIT:B |
運転温度 | -40°C ~ 95°C (TC) |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 576Mb (16M x 36) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 933MHz 8ns |
クロック周波数 | 933MHz |
アクセス時間 | 8ns |