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標準パッケージ統合回路コンポーネントDTD123TSTP
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 40V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | SPT |
シリーズ | - |
抵抗器 - ベース(R1) | 2.2 kOhms |
電力 - 最大 | 300mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SC-72 Formed Leads |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 200MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 100 @ 50mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 500mA |
ベース部品番号 | DTD123 |