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標準パッケージ統合回路コンポーネントIDH10G65C5XKSA1
電圧 - ピーク逆(最大) | Silicon Carbide Schottky |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 10A (DC) |
電圧 - ブレークダウン | PG-TO220-2 |
シリーズ | thinQ!™ |
RoHSステータス | Bulk |
逆回復時間(trrの) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
もし、F @抵抗 | 300pF @ 1V, 1MHz |
偏光 | TO-220-2 |
他の名前 | IDH10G65C5 IDH10G65C5-ND SP000925208 |
動作温度 - ジャンクション | 0ns |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | IDH10G65C5XKSA1 |
拡張された説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
ダイオード構成 | 340µA @ 650V |
説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.7V @ 10A |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 650V |
Vrと、F @キャパシタンス | -55°C ~ 175°C |