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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRF7343QTRPBF
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
電力 - 最大 | 2W |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | IRF7343QTRPBFCT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 740pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36nC @ 10V |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55V |
詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.7A, 3.4A |
ベース部品番号 | IRF7343QPBF |