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標準パッケージ統合回路コンポーネントIS61NVP25672-200B1I
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 2.375 V ~ 2.625 V |
技術 | SRAM - Synchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 209-LFBGA (14x22) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | 209-BGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 18Mb (256K x 72) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 200MHz 3.1ns 209-LFBGA (14x22) |
クロック周波数 | 200MHz |
アクセス時間 | 3.1ns |