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標準パッケージ統合回路コンポーネントEPC8002ENGR
電圧 - テスト | 21pF @ 32.5V |
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電圧 - ブレークダウン | Die |
同上@ VGS(TH)(最大) | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
シリーズ | eGaN® |
RoHSステータス | Tray |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2A (Ta) |
偏光 | Die |
他の名前 | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | EPC8002ENGR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 0.14nC @ 5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 65V |
静電容量比 | - |