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標準パッケージ統合回路コンポーネントEDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.14 V ~ 1.95 V |
技術 | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
サプライヤデバイスパッケージ | 134-VFBGA (10x11.5) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 134-VFBGA |
他の名前 | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-ND EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-ND EDB5432BEBH-1DAAT-F-RTR |
運転温度 | -40°C ~ 105°C (TC) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 512Mb (16M x 32) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
クロック周波数 | 533MHz |