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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRF6708S2TRPBF
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 25µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET S1 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.9 mOhm @ 13A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 20W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric S1 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1010pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10nC @ 4.5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | N-Channel 30V 13A (Tc) 2.5W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Tc) |