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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI7960DP-T1-E3
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 21 mOhm @ 9.7A, 10V |
電力 - 最大 | 1.4W |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
他の名前 | SI7960DP-T1-E3CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.2A |
ベース部品番号 | SI7960 |