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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRF7779L2TR1PBF
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET L8 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11 mOhm @ 40A, 10V |
電力消費(最大) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric L8 |
他の名前 | IRF7779L2TR1PBFTR SP001575282 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6660pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 150nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150V |
詳細な説明 | N-Channel 150V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 375A (Tc) |