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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRF6215L
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 290 mOhm @ 6.6A, 10V |
電力消費(最大) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前 | *IRF6215L |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 860pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 66nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150V |
詳細な説明 | P-Channel 150V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Tc) |