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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI1315DL-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 800mV @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-323 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 336 mOhm @ 800mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 300mW (Ta), 400mW (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
他の名前 | SI1315DL-T1-GE3-ND SI1315DL-T1-GE3TR |
運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 112pF @ 4V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 8V |
詳細な説明 | P-Channel 8V 900mA (Tc) 300mW (Ta), 400mW (Tc) Surface Mount SOT-323 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 900mA (Tc) |