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標準パッケージ統合回路コンポーネント7130SA35CB
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 35ns |
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電源電圧 - | 4.5 V ~ 5.5 V |
技術 | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 48-SIDE BRAZED |
シリーズ | - |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | 48-DIP (0.600", 15.24mm) |
他の名前 | IDT7130SA35CB IDT7130SA35CB-ND |
運転温度 | -55°C ~ 125°C (TA) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 8Kb (1K x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明 | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 8Kb (1K x 8) Parallel 35ns 48-SIDE BRAZED |
アクセス時間 | 35ns |