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標準パッケージ統合回路コンポーネント70P269L90BYGI8
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 90ns |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.9 V |
技術 | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 100-CABGA (6x6) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 100-TFBGA |
他の名前 | IDT70P269L90BYGI8 IDT70P269L90BYGI8-ND |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 256Kb (16K x 16) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 90ns 100-CABGA (6x6) |
アクセス時間 | 90ns |