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標準パッケージ統合回路コンポーネントCSD13302W
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.3V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-DSBGA |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 4-UFBGA, DSBGA |
他の名前 | 296-48118-1 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 35 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 862pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
詳細な説明 | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.6A (Ta) |