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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRF7811
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11 mOhm @ 15A, 4.5V |
電力消費(最大) | 3.5W (Ta) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1800pF @ 16V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 23nC @ 5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 28V |
詳細な説明 | N-Channel 28V 14A (Ta) 3.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14A (Ta) |