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標準パッケージ統合回路コンポーネントSCT10N120
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 690 mOhm @ 6A, 20V |
電力消費(最大) | 150W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
他の名前 | 497-16597-5 |
運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 290pF @ 400V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22nC @ 20V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V |
詳細な説明 | N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) |