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標準パッケージ統合回路コンポーネントNDS8852H
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.8V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80 mOhm @ 3.4A, 10V |
電力 - 最大 | 1W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | NDS8852HTR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 300pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25nC @ 10V |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.3A, 3.4A |