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標準パッケージ統合回路コンポーネントTSM2NB65CH X0G
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5 Ohm @ 1A, 10V |
電力消費(最大) | 65W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
他の名前 | TSM2NB65CH X0G-ND TSM2NB65CHX0G |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 390pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | N-Channel 650V 2A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Tc) |