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標準パッケージ統合回路コンポーネントHUF75631S3ST
電圧 - テスト | 1220pF @ 25V |
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電圧 - ブレークダウン | D²PAK (TO-263AB) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 40 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs(最大) | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | UltraFET™ |
RoHSステータス | Cut Tape (CT) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 33A (Tc) |
偏光 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前 | HUF75631S3STFSCT |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 9 Weeks |
製造元の部品番号 | HUF75631S3ST |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 79nC @ 20V |
IGBTタイプ | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 100V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100V |
静電容量比 | 120W (Tc) |