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標準パッケージ統合回路コンポーネントSQJ411EP-T1_GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.8 mOhm @ 15A, 4.5V |
電力消費(最大) | 68W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
他の名前 | SQJ411EP-T1_GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9100pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 150nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
詳細な説明 | P-Channel 12V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |