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標準パッケージ統合回路コンポーネントDMG8N65SCT
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.3 Ohm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 125W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
メーカーの標準リードタイム | 22 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1217pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | N-Channel 650V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |