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標準パッケージ統合回路コンポーネントIXFT58N20Q TRL
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 4mA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 (IXFT) |
シリーズ | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40 mOhm @ 29A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
他の名前 | IXFT58N20Q TRL-ND IXFT58N20QTRL |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3600pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
詳細な説明 | N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 58A (Tc) |