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標準パッケージ統合回路コンポーネントS26KS512SDABHM030
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術 | FLASH - NOR |
サプライヤデバイスパッケージ | 24-FBGA (6x8) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 24-VBGA |
運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 512Mb (64M x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100MHz 96ns 24-FBGA (6x8) |
クロック周波数 | 100MHz |
アクセス時間 | 96ns |