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標準パッケージ統合回路コンポーネントTP0604N3-G
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2 Ohm @ 1A, 10V |
電力消費(最大) | 740mW (Ta) |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 5 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 20V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
詳細な説明 | P-Channel 40V 430mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 430mA (Tj) |