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標準パッケージ統合回路コンポーネントIS61LPS25636A-200TQ2I-TR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 3.135 V ~ 3.465 V |
技術 | SRAM - Synchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 100-TQFP (14x20) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 100-LQFP |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 2 (1 Year) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 9Mb (256K x 36) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明 | SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20) |
クロック周波数 | 200MHz |
アクセス時間 | 3.1ns |