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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRLHS2242TRPBF
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.1V @ 10µA |
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Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN (2x2) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 31 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-PowerVDFN |
他の名前 | IRLHS2242TRPBFTR SP001568502 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 877pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 7.2A (Ta), 15A (Tc) 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7.2A (Ta), 15A (Tc) |