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標準パッケージ統合回路コンポーネントMB85R256GPF-G-BND-ERE1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 150ns |
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電源電圧 - | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
シリーズ | - |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 256Kb (32K x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
アクセス時間 | 150ns |