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標準パッケージ統合回路コンポーネントSIR182DP-T1-RE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.6V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.8 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 69.4W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
他の名前 | SIR182DP-T1-RE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3250pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 64nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | N-Channel 60V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |