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標準パッケージ統合回路コンポーネントRN1119MFV,L3F
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 500µA, 5mA |
トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | VESM |
シリーズ | - |
抵抗器 - ベース(R1) | 1 kOhms |
電力 - 最大 | 150mW |
パッケージ/ケース | SOT-723 |
他の名前 | RN1119MFVL3F |
装着タイプ | Surface Mount |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 120 @ 1mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |