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標準パッケージ統合回路コンポーネントIXFA8N85XHV
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263HV |
シリーズ | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 850 mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 200W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 654pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 850V |
詳細な説明 | N-Channel 850V 8A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263HV |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |