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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI2337DS-T1-E3
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
電力消費(最大) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | SI2337DS-T1-E3TR SI2337DST1E3 |
運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 500pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
詳細な説明 | P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Tc) |