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標準パッケージ統合回路コンポーネントMT47R512M4EB-25E:C
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
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電源電圧 - | 1.55 V ~ 1.9 V |
技術 | SDRAM - DDR2 |
サプライヤデバイスパッケージ | 60-FBGA (9x11.5) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 60-TFBGA |
運転温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 2Gb (512M x 4) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5) |
クロック周波数 | 400MHz |
ベース部品番号 | MT47R512M4 |
アクセス時間 | 400ps |