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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI7900AEDN-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 Dual |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1.5W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 Dual |
他の名前 | SI7900AEDN-T1-GE3TR SI7900AEDNT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16nC @ 4.5V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A |
ベース部品番号 | SI7900 |